MJE3055T Transistor BJT NPN 60V - 10A TO-220 Gas Ancho de la goma: 19

Ancho de la goma: 19 mm

Transistor equivalente a NTE271

Voltaje de operación DC: 3V ~ 5V

un indicador de energía que indica que el módulo está correctamente alimentado y un indicador de estado que se ilumina cuando el sensor detecta una inclinación

Corriente Colector (IC): 8A

MJE3055T Transistor BJT NPN 60V - 10A TO-220 Gas Ancho de la goma: 19MJE3055T Transistor BJT NPN 60V 10A TO 220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 75W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 10A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es NPN, con un factor de amplificacin (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y