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Impedancia: 50 Ohm
8mm Blanco
Dimensiones del Módulo: 128 mm x 32 mm x 15 mm
Procesador de 240 MHz de doble núcleo microcontrolador con 600 DMIPS de Tensilica LX6
Hoja Técnica Sonómetro UT353
TIP112 Transistor Darlington BJT NPN 100V - 2A TO-220 Luminosidad Impedancia: 50 OhmTIP112 Transistor Darlington BJT NPN 100V 2A TO 220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 50W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 2A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es NPN, con un factor de amplificacin (hFE) de 1000. Dispositivo diseado para el Procesado de
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