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THD + N (Total de distorsión de armónicos): 0
Detección de corriente: 1
Rango del Magnetómetro: ± 4800uF
4GHz WLAN IEEE 802
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IRF820 MOSFET Canal N 500V - 2.5A TO-220 orden de compra THD + N (Total deIRF820 MOSFET Canal N 500V 2. 5A TO 220, esta diseado para soportar un nivel especfico de energa en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Estos MOSFET de potencia estn diseados para aplicaciones tales como reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin, controladores de motores, Controladores de rel y controladores para conmutacin bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de
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